ThetaMetrisis 膜厚儀應(yīng)用說明#050
應(yīng)用微間距覆晶解決方案應(yīng)用銅柱凸塊新封裝技術(shù)系列激光加工/切割冷卻液水溶性保護(hù)膜(HogoMax)厚度測(cè)量應(yīng)用。
1、介紹：
隨著芯片制程逐漸微縮到28奈米，凸塊尺寸同樣減小，銅柱凸塊成為繼銅打線封裝制程后新的封裝技術(shù)變革.與錫鉛凸塊比較，銅柱凸塊具有較佳的效能及較低的整體封裝成本。銅柱凸塊應(yīng)用于覆晶封裝上連結(jié)芯片和與載板的技術(shù)適合用于高階芯片封裝，例如應(yīng)用處理器、微處理器、基頻芯片、繪圖芯片等。
用於半導(dǎo)體激光加工/切割工藝的高純度水溶性保護(hù)膜(PVA(聚乙烯醇，polyvinylalcohol)樹脂)具有以下優(yōu)點(diǎn):
1.HogoMax是一種水溶性樹脂，可防止顆粒粘附到晶圓表面
2.通過使用旋涂機(jī)將HogoMax應(yīng)用于激光加工表面，可以大da減少碎屑的粘附，從而提高設(shè)備的可靠性。
3.此外，激光加工后的薄膜只需用去離子水清洗即可去除。
因此控制HogoMax薄膜厚度均勻性對(duì)于激光加工/切割工藝至為重要
HogoMax(PVA)水溶性保護(hù)膜作用示意圖
內(nèi)容引用DISCO公司網(wǎng)站
2、目的和方法:
被測(cè)量的樣品是一個(gè)380X380mm表面帶有旋涂HogoMax薄膜12吋晶圓樣品。本公司集成ThetametrisisFR-MicVIS/NIR膜厚測(cè)量?jī)x+電動(dòng)XY平臺(tái)同時(shí)測(cè)量包括圖案內(nèi),晶圓切割處邊緣以及銅柱凸塊等區(qū)域.該機(jī)型光譜范圍為370nm-1020nm，能夠測(cè)量15nm至90um的涂層厚度.
3、測(cè)量結(jié)果:
在下面的圖像中，HogoMax和Polyimde層的理論值（紅線）和樣品表面反射光譜（綠線）與厚度分布圖一并呈現(xiàn)說明，如FR-Scanner軟件上所見,樣品經(jīng)過數(shù)次重復(fù)性掃描測(cè)量以確定工具的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性,并得出右側(cè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù).
測(cè)量厚度為HogoMax~1.5um+Polyimde4.36um(反射率光譜發(fā)現(xiàn)兩種頻率分別為PVA和下層Polyimde)
4、結(jié)論:
使用FR-Mic成功的測(cè)量12吋晶圓樣品的HogoMax層的厚度。通過厚度測(cè)量并分析統(tǒng)計(jì)區(qū)域的厚度分布和均勻性，快速且無損地測(cè)量了薄膜厚度以保護(hù)陶瓷部件在等離子腔體中不受損壞。FR-Scanner是一種快速、準(zhǔn)確測(cè)量大面積或預(yù)選位置上薄膜或疊層薄膜的解決方案.
機(jī)臺(tái)配置ThetametrisisFR-MicVIS/NIR膜厚測(cè)量?jī)x+電動(dòng)XY平臺(tái)
5、量測(cè)界面
單層PI量測(cè):Polyimde7.799um也可以量測(cè)銅柱頂端厚度
